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XPW6R30ANBU-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應(yīng)用的理想選擇。

XPW6R30ANBU-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應(yīng)用的理想選擇。

作者：網(wǎng)站管理員    發(fā)布時(shí)間：2024-09-07    瀏覽次數(shù)：

Toshiba  車規(guī)級(jí)U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應(yīng)用的理想選擇。它們具有采

用專有技術(shù)的低導(dǎo)通電阻，使用銅連接器。  它們具有2.5V至3.5V的窄柵極閾值電壓范圍，從而降低了開關(guān)時(shí)間容差。


特性

  • 業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻
    • RDS (ON)= 3.0mΩ（典型值）（VGS = 10V時(shí)）(XPN3R804NC)
    • RDS (ON)= 6.11mΩ（最大值）（VGS=10V時(shí)）(TK60S10N1L/TK60F10N1L)
    • RDS (ON)= 6.31mΩ（最大值）（VGS= 10V時(shí)）(TK60R10N1L)
  • 窄柵極閾值電壓范圍
    • Vth= 1.5V至2.5V (窄：1V范圍）(XPN3R804NC)
    • Vth= 2.5V至3.5V（窄：1V范圍）（TK60S10N1L/TK60F10N1L/TK60 R10N1L）

  • 低熱阻
    • Rth(ch-c)=0.83°c/W（最大值）(TK60S10N1L)
    • Rth(ch-c)=0.73°c/W（最大值）(TK60F10N1L/TK60R10N1L)
  • 通道額定溫度：Tch=175°C
  • 低開關(guān)噪聲

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