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AGM306C

作者：網站管理員發布時間：2024-06-29 瀏覽次數：

芯控源AGM306C詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產品概述

AGM306C將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用

●產品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地減少導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現快速開關 ■ 低熱阻

●應用

■ MB/VGA 核心 ■ SMPS 第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機驅動

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芯控源AGM306C詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產品概述

AGM306C將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，可提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用

●產品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地減少導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現快速開關 ■ 低熱阻

●應用

■ MB/VGA 核心 ■ SMPS 第二同步整流器 ■ POL應用 ■ BLDC電機驅動

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