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AGM306A

作者：網(wǎng)站管理員發(fā)布時間：2024-06-28 瀏覽次數(shù)：

芯控源AGM306A詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續(xù)漏極電流(Id): 60A，功率(Pd): 51W

●產(chǎn)品概述

AGM306A將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

●產(chǎn)品特點

■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關 ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試

●應用

■MB/VGAV核 ■SMPS 第二同步整流器 ■POL應用 ■BLDC電機驅(qū)動器

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●產(chǎn)品概述

AGM306A將先進的溝槽MOSFET技術與低電阻封裝相結合，以提供極低的RDS（ON）。該器件非常適合負載開關和電池保護應用。

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■ 先進的高電池密度溝槽技術 ■ 低導通電阻（ON），可最大限度地降低導電損耗 ■ 低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關 ■ 低熱阻 ■ 100% 雪崩測試

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