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AGM301A1

作者：網站管理員發布時間：2024-06-24 瀏覽次數：

芯控源AGM301A1詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

●產品概述

AGM301A1結合了先進的溝槽MOSFET技術，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術 ■LowRDS（ON）最小化導電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

●產品應用

■MB/VGAV核 ■SMPS2ndSynchronous整流 ■POL應用■BLDC電機驅動

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●產品概述

AGM301A1結合了先進的溝槽MOSFET技術，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術 ■LowRDS（ON）最小化導電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

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芯控源AGM301A1詳情: 1個N溝道，漏源電壓(Vdss): 30V，連續漏極電流(Id): 150A，功率(Pd): 108W

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AGM301A1結合了先進的溝槽MOSFET技術，采用低電阻封裝，提供極低的RDS（ON）。該設備是負載開關和電池保護應用的理想選擇。

●產品特點

■先進的高電芯密度溝槽技術 ■LowRDS（ON）最小化導電損耗 ■低柵極電荷用于快速切換 ■低熱阻 ■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

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