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STP110N8F6

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產(chǎn)品屬性
類型 描述

類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
制造商 STMicroelectronics
系列 STripFET? F6
包裝 管件
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 110A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 6.5 毫歐 @ 55A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 9130 pF @ 40 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220
封裝/外殼 TO-220-3
基本產(chǎn)品編號(hào) STP110



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