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作者：網站管理員 發布時間：2024-09-30 瀏覽次數：
東芝 DTMOSIV-H MOSFET 適用于需要高可靠性、高能效和緊湊型設計的應用，例如用于服務器和電信基站的高效開關電源以及光伏逆變器電源穩壓器。
東芝 DTMOSIV -H MOSFET 實現了高速開關性能，同時保持了傳統 DTMOSIV 的低導通電阻水平，并且不會損失功率。這是通過降低柵極和漏極之間的
寄生電容來實現的，這也有助于提高能效和縮小產品的尺寸。
特點
1.柵極模式優化，與傳統 DTMOSIV 相比，柵極漏電荷減少45%
2.由于采用單一外延工藝，在高溫下的低接通電阻小幅增加
3.低接通電阻陣列
4.1個頻道
5.N溝道晶體管極性
6.10V門控驅動器
7.600V漏電源擊穿電壓
8.7A至61.8A連續排水電流
9.0.04Ω至0.135ΩRDS（接通）最大值
10.DFN、TO-220、TO-220SIS和TO-247封裝選項
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