TOSHIBA(東芝)-SSM3J56ACT

1.SSM3J56ACT應用

高速交換機

2.SSM3J56ACT特點

(1) 1.2 V驅動器
(2)低漏極電阻：
RDS（接通）=390 mΩ（最大）（@VGS=-4.5V）

RDS（接通）=480 mΩ（最大）（@VGS=-2.5V）

RDS（接通）=660 mΩ（最大）（@VGS=-1.8V）

RDS（接通）=900 mΩ（最大）（@VGS=-1.5V）

RDS（ON）=4000 mΩ（最大）（@VGS=-1.2V）

3.SSM3J56ACT絕對最大額定值（注）（除非另有規定，Ta = 25?C）

注：在重負載下連續使用（如應用高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）即使有運行條件（即運行溫度/電流/電壓等），也可能導致該產品的可靠性顯著降低。在絕對最大評級范圍內。請在審查東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降低概念和方法”）和個別可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）后，設計適當的可靠性。注1：確保通道溫度不超過150.注2：脈沖寬度（PW）≤10 ms，占空比= 1 %注3：設備安裝在25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm FR4玻璃環氧樹脂板（銅墊： 645 mm2）上

注：該晶體管對靜電放電很敏感，應小心處理。注：本裝置中的mosfet對靜電放電很敏感。在操作該設備時，應保護工作臺、操作人員、焊鐵等物體的防靜電放電。注：通道到環境的熱阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根據板材料、板面積、板厚度和墊面積而不同。在使用此設備時，一定要充分考慮散熱因素。

4.SSM3J56ACT靜態特性（除非另有規定，Ta = 25?C）

注1：如果在柵極和源之間施加正向偏置，該設備進入V（BR）DSX模式。注意，在此模式下，排水管擊穿電壓降低。注2：設V為柵極和源極之間施加的電壓，導致漏極電流（ID）以下（該設備為-1mA）。然后，對于正常的切換操作，VGS（ON）必須高于Vth，并且VGS（OFF）必須低于Vth。這種關系可以表示為： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用該設備時要考慮到這一點。注3：脈沖測量。