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作者:網(wǎng)站管理員 發(fā)布時間:2024-09-21 瀏覽次數(shù):
RDS(ON)=100 mΩ(最大)(@VGS=-1.8V)
RDS(ON)=75 mΩ(最大)(@VGS=-2.5V)
RDS(ON)=55 mΩ(max)(@VGS = -4.5 V)
注:在重負荷下連續(xù)使用(如應用高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等)即使有運行條件(即運行溫度/電流/電壓等),也可能導致該產(chǎn)品的可靠性顯著降低。在絕對最大評級范圍內(nèi)。請在審查東芝半導體可靠性手冊(“處理注意事項”/“降低概念和方法”)和個別可靠性數(shù)據(jù)(即可靠性測試報告和估計故障率等)后,設計適當?shù)目煽啃?。?:確保通道溫度不超過150?。注2:脈沖寬度(PW)≤10 ms,占空比≤1%注3:安裝在FR4電路板上的設備。(25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm,銅墊: 645 mm2)
注:本裝置中的mosfet對靜電放電很敏感。操作該設備時,應保護工作臺、操作人員、焊鐵等物體進行防靜電放電。注:通道到環(huán)境的熱阻Rth(ch-a)和排水功耗PD根據(jù)板材料、板面積、板厚度和墊面積而不同。在使用此設備時,一定要充分考慮散熱因素。
注1:如果在柵極和源之間施加反向偏置,該設備將進入V(BR)DSX模式。注意,在此模式下,排水管擊穿電壓降低。注2:設V為柵極和源極之間施加的電壓,導致漏極電流(ID)以下(該設備為-1mA)。然后,對于正常的切換操作,VGS(ON)必須高于Vth,并且VGS(OFF)必須低于Vth。這種關系可以表示為: VGS(OFF)< Vth < VGS(ON)。在使用該設備時要考慮到這一點。注3:脈沖測量。
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