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TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET

TK190A65Z,S4X是Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET

作者：網站管理員    發布時間：2024-09-18    瀏覽次數：

Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET設計用于在開關電源下工作。

該系列N溝道MOSFET具有高速開關特性和較低電容。

 650V DTMOS-VI超級結MOSFET硅MOSFET提供0.092Ω至0.175Ω低漏電流導通電阻。

這些器件具有10V漏源電壓。

特性

  • 低漏源導通電阻
  • 高速開關特性，低電容
  • 增強模式：Vth=3V至4V（VDS=10V）

規范

  • 最大柵極漏電流：±1μA
  • 輸入電容 (CISS) 為2250pF、1635pF和1370pF
  • 最大柵極閾值電壓：3V至4V 

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