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TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）

TK16V60W5 MOSFET硅N溝道MOS（DTMOS）

作者：網(wǎng)站管理員    發(fā)布時(shí)間：2024-09-14    瀏覽次數(shù)：

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設(shè)計(jì)，有各種型號可供選擇。

Si N溝道MOSFET具有低漏源導(dǎo)通電阻和快速反向恢復(fù)能力。這些MOSFET可輕松控制柵極開關(guān)。

TK16x60W MOSFET有各種尺寸可選，采用DFN8x8、TO-247、TO-3P(N)、D2PAK、TO-220和

TO-220SIS不同封裝。這些 TK16x60W Si N溝道MOSFET用于開關(guān)穩(wěn)壓器。


特性

  • 低漏極-源極導(dǎo)通電阻RDS(ON)  ：0.16?至0.196Ω
  • 易于控制的柵極開關(guān)
  • 增強(qiáng)模式Vth ：2.7V至4.5V


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