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作者：網站管理員 發布時間：2024-09-04 瀏覽次數：
? 1.2 V 驅動
? 低導通電阻：
RDS（ON） = 94 mΩ（最大值）（@VGS = -1.2 V）
RDS（ON） = 39 mΩ（最大值）（@VGS = -1.5 V）
RDS（ON） = 29 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）
RDS（ON） = 21 mΩ（最大值）（@VGS = -2.5 V）
RDS（ON） = 17 mΩ（最大值）（@VGS = -4.5 V）
注：在重負載下連續使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設計適當的可靠性。注 1：安裝在 FR4 板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，銅墊：645 mm2）
注 2：脈沖測試注 3：如果在柵極和源之間施加正向偏置，則該器件進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏源擊穿電壓會降低。
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