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TK35A65W

TK35A65W

作者：網(wǎng)站管理員    發(fā)布時間：2024-04-20    瀏覽次數(shù)：

            TK35A65W應(yīng)用 應(yīng)用 應(yīng)用 應(yīng)用 ? 開關(guān)穩(wěn)壓器 2.2. 2.2. 特點 特點 特點 特點 （1） 低漏源導(dǎo)通電阻：RDS（ON） = 0.068 Ω（典型值），使用超級結(jié) 結(jié)構(gòu)：DTMOS （2） 易于控制 柵極切換 （3） 增強模式：Vth = 2.5 至 3.5 V（VDS = 10 V，ID = 2.1 mA


東芝 DTMOSIV 系列 MOSFET

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝，可將 R 降低 30%DS（開），MOSFET的品質(zhì)因數(shù)（FOM），與其前身DTMOSIII相比。R 的這種減少DS（開）可以容納較低的 RDS（開）相同封裝的芯片。這有助于提高效率并減小電源的尺寸。東芝DTMOSIV MOSFET是與開關(guān)穩(wěn)壓器配合使用的理想選擇。

特征

  • 低漏源導(dǎo)通電阻
  • 易于控制的柵極開關(guān)
  • R 降低 30%DS（開）與上一代產(chǎn)品相比
  • 電源開關(guān)效率最高
  • 減少 C操作系統(tǒng)
  • 封裝選項包括 DPAK、IPAK、D2PAK、8mm x 8mm DFN、I2PAK、TO-220、TO-220SIS、TO-247、TO-3P（N） 和 TO-3P（L）

應(yīng)用

  • 開關(guān)電源 （SMPS）
  • 照明
  • 功率因數(shù)控制 （PFC）
  • 工業(yè)（包括UPS）

方框圖

原理框圖 - Toshiba DTMOSIV 系列 MOSFET


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