久久福利一区二区_91av网址_久草午夜_色综合伊人丁香五月桃花婷婷_日本人丰满XXXXHD_一本色道久久亚洲综合精品蜜桃

歡迎來到深圳市瑞政微電子有限公司

CH EN

深圳市瑞政微電子有限公司

0755-82760106

投訴建議熱線：

0755-83260671

在線客服：張先生

269850795

掃一掃關注微信

加微信添好友

在線客服：李先生

2437463531

掃一掃關注微信

加微信添好友

首頁 - 場效應管 -

FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

作者：網站管理員    發布時間：2022-05-06    瀏覽次數：

產品屬性
類型 描述
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商 onsemi
系列 QFET®
包裝 卷帶（TR）
剪切帶（CT）
零件狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 115 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 6.4 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 350 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），28W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
基本產品編號 FQD13N06

附件下載

下載次數：次數

上一篇：BS2130F-GE2

下一篇：AO3480

聯系我們:0755-82760106

投訴建議:0755-83260671

郵箱：[email protected]

總部地址：廣東省深圳市龍崗區橫崗街道榮德國際A座18F

微信公眾號二維碼

微信公眾號二維碼

Copyright ? 2024深圳市瑞政微電子有限公司 版權所有 備案號:粵ICP備2024178191號-1 后臺登錄

回到頂部圖片
主站蜘蛛池模板： 泰州市| 保亭| 淳安县| 手游| 阿荣旗| 林州市| 长葛市| 长春市| 莱西市| 阿拉善左旗| 津南区| 商洛市| 武城县| 富平县| 莆田市| 大姚县| 广平县| 田东县| 同仁县| 交口县| 岱山县| 南宁市| 师宗县| 彭阳县| 南涧| 新乐市| 灵石县| 会昌县| 壤塘县| 横山县| 楚雄市| 九龙县| 公安县| 松滋市| 云霄县| 深泽县| 黄梅县| 柳林县| 武邑县| 堆龙德庆县| 淳化县|