TOSHIBA(東芝)-SSM3J35AMFV

1.SSM3J35AMFV應用程序

模擬開關

2.SSM3J35AMFV特點

(1) 1.2 V驅動
(2)低漏極電阻：
RDS（ON）=3.2Ω（類型）（@VGS=-1.2V）
RDS（ON）=2.3Ω（類型）（@VGS=-1.5V
RDS（ON）=2.0Ω（典型版）（@VGS=-1.8V）
RDS（ON）=1.5Ω（類型）（@VGS=-2.5V）
RDS（ON）=1.1Ω（類型）(@VGS = -4.5 V)

3.SSM3J35AMFV絕對最大額定值（注）（除非另有規定，Ta = 25）

注：在重負荷下連續使用（如應用高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）即使有運行條件（即運行溫度/電流/電壓等），也可能導致該產品的可靠性顯著降低。在絕對最大評級范圍內。請在審查東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降低概念和方法”）和個別可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）后，設計適當的可靠性。注1：確保通道溫度不超過150?。注2：安裝在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，銅墊0.585 mm2）注3：安裝在FR4板上（25.4 mm×25.4 mm×1.6 mm，銅墊645 mm2）

注：該晶體管對靜電放電很敏感，應小心處理。注：本裝置中的mosfet對靜電放電很敏感。在操作該設備時，應保護工作臺、操作人員、焊鐵等物體的防靜電放電。注：通道到環境的熱阻Rth（ch-a）和排水功耗PD根據板材料、板面積、板厚度和墊面積而不同。在使用此設備時，一定要充分考慮散熱因素。

4.SSM3J35AMFV靜電放電試驗（Ta=25）

注：根據JEITA ED-4701標準進行了靜電放電試驗，并確認了上述結果。

5.SSM3J35AMFV靜態特性（除非另有規定，Ta = 25）

注1：如果在柵極和源之間施加反向偏置，該設備將進入V（BR）DSX模式。請注意，在此模式下，排水管擊穿電壓降低。注2：設V為柵極和源極之間施加的電壓，導致漏極電流（ID）低于（該設備為-100μA）。然后，對于正常的切換操作，VGS（ON）必須高于Vth，并且VGS（OFF）必須低于Vth。這種關系可以表示為： VGS（OFF）< Vth < VGS（ON）。在使用該設備時要考慮到這一點。注3：脈沖測量。